开云手机入口-开云(中国)



漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最（zuì）大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

7

通（tōng）道极（jí）性：

N沟道

封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,600mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



开云手机入口-开云(中国)

开云手机入口-开云(中国)